26 февраля 2015

Samsung может без проблем перейти к 5-нм техпроцессу и пойти дальше

Константин Иванов

По материалам Nikkei

Д-р Кинам Ким, возглавляющий полупроводниковое производство в компании Samsung, выступил на конференции IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), сообщив о глобальных планах развития данного направления. По его словам, в настоящий момент развивается тренд по дальнейшей миниатюризации производства и переходу ко все более мелким чипсетам. Об этом он сообщил на лекции Silicon Technologies and Solutions for The Data-driven World.

Как полагает д-р Ким, в настоящее время в мире доминируют огромные потоки информации и данных, а также IoT (Internet of Things). Еще в прошлом году, по данным Cisco Systems, Inc., в мире было 7,2 млрд человек, но они использовали вдвое большее число устройств, подключенных к интернету, то есть примерно 14,4 млрд различных гаджетов, способных выходить в сеть. К 2020 году это число вырастет до 50 миллиардов устройств.

Такой рост количества подключаемых терминалов вызывает рост числа подключений, что влечет за собой еще и увеличение количества обрабатываемых сигналов. Все это требует соответствующего роста полупроводниковых технологий, которые бы поддерживали развитие. И у этого развития полупроводников есть неплохой задел. В настоящий момент «нет серьезных технических затруднений для достижения рубежа в 5 нм», заявил Кинам Ким.

Но и на рубеже в 5 нм компания задерживаться не будет. Уже развиваемая технология FinFET, пока адаптированная для техпроцесса в 10 нм, позволяет создавать исследовательские прототипы по техпроцессу 3,8 нм, а в дальнейшем возможен переход к EUV технологии, которая могла бы реализовать размер в 3,25 нм. Пока же ее использование ограничено 8-нм техпроцессом, а для дальнейшей миниатюризации требуются новые материалы.

Однако все вышеперечисленное пока является делом следующих нескольких лет. Пока компания Samsung начала в январе 2015 года серийное производство чипсетов поколения FinFET технологии с 14-нм техпроцессом. В ближайших планах – достижение в рамках данной технологии уровня в 7 нм и освоение TFET технологий на серийном производстве.